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唯讀記憶體(ROM)
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❒ 光罩式唯讀記憶體(Mask-ROM)
在製造的時候將資料隨著「光罩(Mask)」寫入，使用時只能讀取資料
這種記憶體的結構通常只有一個電晶體(1T)或一個二極體(1D)，因此成本極低，由於無法更改資料，所以目前已經很少使用了。
「光罩式唯讀記憶體(Mask-ROM)」是目前唯一「真正唯讀」的唯讀記憶體，資料只能寫入一次，類似「唯讀型光碟片(CD-ROM)」，屬於「非揮發性記憶體(NVM)」，電源關閉後資料仍然存在。
❒ 可程式化唯讀記憶體(P-ROM：Programmable ROM)
在製造的時候尚未將資料寫入，購買唯讀記憶體的廠商(例如：主機板廠商)在購買後可以依照不同的需要以「大電流」將資料寫入(燒錄)，而且資料只能寫入一次，不可以重複使用，有點類似「可寫一次型光碟片(CD-R)」。
P-ROM的優點是記憶體製造時不需要將資料寫入，廠商在購買後可以依照不同的需要寫入資料，應用的靈活性比Mask-ROM高；缺點則是資料只能寫入一次，不可更改，使用仍然不方便。
❒ 可抹除可程式化唯讀記憶體(EP-ROM：Erasable P-ROM)
在製造的時候尚未將資料寫入，購買唯讀記憶體的廠商(例如：主機板廠商)在購買後可以依照不同的需要以「大電流」將資料寫入(燒錄)；如果需要更改內容，可以使用「紫外光」將舊的資料抹除(Erase)，再以高電壓將新資料寫入，因此可以重複使用，有點類似「可多次讀寫型光碟片(CD-RW)」。
EP-ROM的構造如＜圖一＞所示，大部分是使用NMOS為主要結構，在中央P型矽晶圓上方成長絕緣層「氧化矽」，然後再成長二層「多晶矽」，分別稱為「浮動閘極(FG：Floating Gate)」與「控制閘極(CG：Control Gate)」，浮動閘極與P型矽晶圓之間由絕緣層氧化矽隔開，一般的情況下電子無法注入浮動閘極，存取資料的原理如下：
➤大電流寫入0：以大電流產生高能量的「熱電子(Hot electron)」由左方N型的源極跨越氧化矽儲存在浮動閘極，如＜圖一(a)＞所示。
➤紫外光抹除1：以高能量的「紫外光(UV：Ultraviolet)」照射浮動閘極強迫電子由右方N型的汲極流出，如＜圖一(b)＞所示。
EP-ROM的優點是記憶體製造時不需要將資料寫入，廠商在購買後可以依照不同的需要寫入資料，而且可以更改資料，應用靈活性較P-ROM高；缺點則是更改資料時必須先使用紫外光將舊資料抹除，使用仍然不方便。此外，EP-ROM的封裝外殼必須預留一個石英窗，讓紫外光可以照射到浮動閘極，由於價格較高，後來大部分都沒有預留石英窗，資料寫入之後就不能再抹除，變成只能寫入一次的「一次可程式化唯讀記憶體(OTP-ROM：One Time Programmable ROM)」。
圖一 可抹除可程式化唯讀記憶體(EP-ROM)的構造與原理示意圖。
❒ 電子式可抹除可程式化唯讀記憶體(EEP-ROM：Electrically EP-ROM)
在製造的時候尚未將資料寫入，購買唯讀記憶體的廠商(例如：主機板廠商)在購買後可以依照不同的需要以「高電壓(電脈衝)」將資料寫入；如果需要更改內容，可以使用「高電壓(電脈衝)」將舊資料抹除(Erase)，再以高電壓將新資料寫入，因此可以重複使用，有點類似「可多次讀寫型光碟片(CD-RW)」。
EEP-ROM的構造如＜圖二＞所示，基本上與EP-ROM的構造相似，但是中央P型矽晶圓上方的絕緣層「氧化矽」厚度比較薄，存取資料的原理如下：
➤寫入資料0：以高電壓(通常大於10V)使電子由左方N型的源極「穿隧(Tunneling)」氧化矽儲存在浮動閘極，如＜圖二(a)＞所示。
➤抹除資料1：以高電壓吸引浮動閘極內的電子由右方N型的汲極流出，如＜圖二(b)＞所示。
EEP-ROM的優點是記憶體製造時不需要將資料寫入，廠商在購買後可以依照不同的需要寫入資料，而且可以更改資料，又不需要使用紫外光將舊資料抹除，應用靈活性較EP-ROM高；缺點則是EEP-ROM是以小區塊(通常是位元組B)為清除單位來抹除資料，抹除與寫入的速度很慢，使用仍然很不方便，後來經過改良才發展出目前廣泛使用在可攜帶式電子產品的「快閃記憶體(Flash ROM)」，因此我們可以將EEP-ROM看成是快閃記憶體的始祖。
EEP-ROM由於可以電寫電讀，目前廣泛的應用在各種防偽晶片，例如：IC電話卡、IC金融卡、IC信用卡(信用卡附防偽晶片)、健保IC卡、手機用戶識別卡(SIM：Subscriber Identity Module)等，做為儲存少量客戶資料的記憶體。
圖二 電子式可抹除可程式化唯讀記憶體(EEP-ROM)的構造與原理示意圖。
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