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半導體發光的原理(Light emission from semiconductor)
❒ 半導體中電子的分佈
固體材料依照導電性可以分為非導體、半導體、良導體與超導體等四種,其中只有「半導體」具有發光的特性,因此這裏所討論的模型雖然適用於所有的固體,但是主要是針對半導體而言。
一塊砂粒大小的半導體(又稱為「塊材(Bulk)」)其實就包含了極多個原子,1公克的矽大約有1023個原子,因為1個矽原子有1個原子核,原子核外有14個電子(矽的原子序14),所以1公克的矽大約有1023個原子核,原子核外大約有14x1023個電子,要如何描述這麼多的原子核與電子在一塊矽固體中的行為呢?
「1個矽原子」有1個原子核,原子核外面有1層薄薄的內層能階;而在內層能階的外面則包覆另外1層薄薄的外層能階,如<圖一(a)>所示。「1公克的矽」大約有1023個原子,因此大約有1023個原子核,原子核外面有1023層薄薄的內層能階,更遠的外面則有1023層薄薄的外層能階,科學家們「想像」這1023個原子核是集中在這塊矽固體的正中央形成一個「大原子核」,如<圖一(b)>所示;而1023層薄薄的內層能階集合起來就會形成一層有厚度的能帶(Band),稱為「價電帶(Valence band)」;1023層薄薄的外層能階集合起來就會形成一層有厚度的能帶(Band),稱為「導電帶(Conduction band)」,如<圖一(b)>所示。看到這裏,大家有沒有開始覺得科學家們的「想像力」實在太豐富了呢?這種說法雖然聽起來有點不合理,卻是目前被科學家們廣泛接受的半導體材料發光原理模型了。

圖一 能階與能帶示意圖。
❒ 半導體的能帶(Energy band)
科學家們將電子可以存在半導體中,並且繞原子核運行的區域稱為「能帶(Energy band)」,半導體的能帶可以分為「價電帶(由內層能階集合起來形成)」與「導電帶(由外層能階集合起來形成)」,如<圖二(a)與(c)>所示。我們可以將電子在半導體的價電帶與導電帶的行為,想像成某甲在大樓的一樓與頂樓,如<圖二(b)與(d)>所示。知識力www.ansforce.com。

圖二 半導體固體的價電帶與導電帶。
➤價電帶(能量較低):在沒有外加能量時,原子核外所有的電子都在「價電帶」繞著原子核運行,價電帶的電子能量較低,比較穩定,如<圖二(a)>所示。價電帶就好像大樓的「一樓」,大樓內的某甲在大樓的一樓,一樓的能量較低,比較穩定,也比較安全,如<圖二(b)>所示。
➤導電帶(能量較高):在有外加能量(光能或電能)時,則其中一個電子會由價電帶跳躍到「導電帶」,導電帶的電子能量較高,比較不穩定,如<圖二(c)>所示。導電帶就好像大樓的「頂樓」,對大樓內的某甲外加能量(爬樓梯或坐電梯),則某甲會由一樓升高到頂樓,頂樓的能量較高,比較不穩定,也比較危險,如<圖二(d)>所示。
➤能隙(Energy gap):科學家發現,在價電帶與導電帶之間的區域是沒有電子存在的,換句話說,電子原本在價電帶,當我們對半導體外加能量,電子並不是慢慢地爬到導電帶,而是電子吸收了這個能量以後「直接跳躍」到導電帶。價電帶與導電帶之間沒有電子存在的區域稱為「能隙(Energy gap)」,而「能隙的大小」就是價電帶與導電帶之間的能量差(位能差),大家是否已經發現,半導體(1023個原子)的發光行為與一個原子的發光行為完全相同,只是「內層能階」換成「價電帶」,而「外層能階」換成「導電帶」而已。知識力www.ansforce.com。
❒ 半導體的發光原理
<圖三(a)>為砷化鎵的能帶示意圖,如果仔細觀察<圖三(a)>會發現,其實圖中真正有意義的部分只有砷化鎵的上方,因此科學家將砷化鎵上方虛線的部分畫成如<圖三(b)>的簡圖。

圖三 砷化鎵固體的發光原理。
砷化鎵的電子在沒有外加能量的情況下都在「價電帶」,導電帶則是空的,如<圖三(b)>所示。對砷化鎵外加能量(光能或電能),則其中一個電子會由價電帶跳躍到「導電帶」,如圖<三(c)>所示。由於導電帶的電子能量較高,比較不穩定,因此電子一不小心便會由導電帶落回價電帶,並將剛才吸收的能量以「光能或熱能」的形式釋放出來,最後電子回到原先的狀態,如<圖三(d)>所示,這是所有光電科技產品必定遵守的定律,我們稱為「能量守恆定律」。知識力www.ansforce.com。
【重要觀念】
➤ 能量的激發:對半導體外加能量(光能或電能),使電子由「價電帶」跳躍到「導電帶」的動作稱為「激發(Pumping)」。
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