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❐ 異質雙極性接面電晶體(HBT)的構造
異質雙極性接面電晶體(HBT：Heterojunction Bipolar Transistor)簡稱「HBT」，依照不同的導電特性又可以分為NPN-HBT、PNP-HBT二種：
➤NPN型異質雙極性接面電晶體(NPN-HBT)：NPN-HBT的構造如＜圖一(a)＞所示，在砷化鎵基板上分別製作N型砷化鎵、P型砷化鎵、N型砷化鋁鎵三個水溝，最後分別在上方蒸鍍金屬電極，左邊的金屬稱為「射極(Emitter)」，中間的金屬稱為「基極(Base)」，右邊的金屬稱為「集極(Collector)」。HBT構造與BJT相同，只是將左邊射極(Emitter)的材料換成N型「砷化鋁鎵」
➤PNP型異質雙極性接面電晶體(PNP-HBT)：PNP-HBT的構造如＜圖一(b)＞所示，與NPN-HBT相同，但是N型與P型區域相反，因此導電特性相反。
 

圖一　異質雙極性接面電晶體(HBT)的構造示意圖。

❐ HBT放大器(HBT amplifier)
HBT放大器的工作原理如＜圖二＞所示，假設以基極(Base)做為共用端，將「較小的電壓或電流(小訊號)」輸入基極(Base)，由於HBT的元件特性會使訊號放大，轉變成「較大的電壓或電流(大訊號)」由集極(Collector)輸出，這就是「類比積體電路」工作的基本原理。

圖二　HBT放大器的工作原理示意圖。

❐ HBT邏輯電路(HBT logic)
HBT同樣可以應用在「數位積體電路」，但是當HBT應用在數位積體電路時並不稱為「開關(Switch)」，而是將數個HBT連接在一起形成「HBT邏輯電路」，最常見的包括二極體—電晶體邏輯(DTL：Diode Transistor Logic)、電晶體—電晶體邏輯(TTL：Transistor Transistor Logic)、射極偶合邏輯(ECL：Emitter Coupled Logic)等電路，但是由於耗電量較大，目前大部分已經被CMOS製作的積體電路(IC)取代了。

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