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❒ 摻雜的目的
在介紹摻雜技術之前，我們先復習一下摻雜的目的，在矽晶圓中加入不同的原子則會形成兩種不同型態的半導體，細節請參考這裡：
➤N型半導體(N type)：矽晶圓(4A族)摻雜少量的5A族原子(氮、磷、砷、銻、鉍)，稱為「N型半導體」，N型半導體最大的特性是「容易傳導電子」。知識力www.ansforce.com。
➤P型半導體(P type)：矽晶圓(4A族)摻雜少量的3A族原子(硼、鋁、鎵、銦、鉈)，稱為「P型半導體」，P型半導體最大的特性是「容易傳導電洞」。

❒ 矽晶圓的摻雜
➤N型半導體(N-type：Negative type)
當我們在矽晶圓(4A族)摻雜少量的氮原子(5A族)時稱為「N型半導體」，N型半導體最大的特性是「容易傳導電子」，電子帶負電(Negative)故稱為「N型」。
由於矽原子有4個鍵結電子，氮原子有5個鍵結電子，當矽原子與氮原子鍵結時總共有9個鍵結電子，每個氮原子的周圍均比八隅規則多出1個電子(帶負電)，如果整塊矽晶圓中有某些位置換成氮原子，則結果如＜圖一(a)＞所示，整塊半導體多出許多電子(-)，這些是滿足八隅規則後多出來的電子，可以自由在半導體中移動，所以N型半導體容易傳導電子(帶負電)。
➤P型半導體(P-type：Positive type)
當我們在矽晶圓(4A族)摻雜少量的硼原子(3A族)時稱為「P型半導體」，P型半導體最大的特性是「容易傳導電洞」，電洞帶正電(Positive)故稱為「P型」。
由於矽原子有4個鍵結電子，硼原子有3個鍵結電子，當矽原子與硼原子鍵結時總共有7個鍵結電子，每個硼原子的周圍均比八隅規則少了1個電子，「少了一個電子(帶負電)」反過來說就是「多了一個電洞(帶正電)」，如果整塊矽晶圓中有某些位置換成硼原子，則結果如＜圖一(b)＞所示，整塊半導體多出許多電洞(+)，這些是滿足八隅規則後多出來的電洞，可以自由在半導體中移動，所以P型半導體容易傳導電洞(帶正電)。知識力www.ansforce.com。

圖一　矽晶圓的N型與P型。

【請注意】上述內容經過適當簡化以適合大眾閱讀，與產業現狀可能會有差異，若您是這個領域的專家想要提供意見，請自行聯絡作者；若有產業與技術問題請參與社群討論。
 

【延伸閱讀】其他詳細內容請參考「積體電路與微機電產業，全華圖書公司」。＜我要買書＞