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Hightech  2017-09-16 21:10  A20170813004 
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磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)是由Honeywell公司首先於1997年推出1MB產品,接著IBM與Infineon公司、Motorola、Sony、Toshiba、NEC、Samsung等公司相繼投入研發,它的構造與一般的電儲存元件完全不同,電源關閉後資料仍然可以保存,屬於「非揮發性記憶體」,具有所有儲存元件的優點。