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雙極性接面電晶體(BJT)
Hightech  2019-02-08 13:07  20160914006 
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雙極性接面電晶體(BJT:Bipolar Junction Transistor)簡稱「BJT」,一般使用矽晶圓或砷化鎵晶圓製作,後來又發展出特性更好的「異質雙極性接面電晶體(HBT)」,大部分應用在「類比積體電路」,目前較少使用在數位積體電路中。
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高電子移動速度電晶體(HEMT)
Hightech  2019-02-08 10:57  20160914007 
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金屬半導體場效電晶體(MESFET)是很好的高頻放大器元件,但是仍然有許多缺點,後來又發展出下層無摻雜磊晶,上層有摻雜特性更好的「高電子移動速度電晶體(HEMT:High Electron Mobility Transistor)」,大部分應用在「類比積體電路」。
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金屬—半導體場效電晶體(MESFET)
Hightech  2019-02-08 10:40  20160914008 
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金屬-半導體場效電晶體(MESFET)簡稱為「MES」,一般使用砷化鎵晶圓製作,由於砷化鎵晶圓很難以「高溫氧化」的方式在表面成長氧化物,因此閘極只能使用「金屬-半導體」的結構,後來又發展出特性更好的「高電子移動速度電晶體(HEMT)」,大部分應用在「類比積體電路」。
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二極體(Diode)
Hightech  2019-02-08 09:30  20160912001 
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基本上只要在半導體內將P型與N型做成「接面(Junction)」就可以稱為「二極體(Diode)」,二極體(Diode)一般使用矽晶圓製作,由於矽晶圓很容易以「摻雜技術」形成P型與N型,因此成本較低而且製程穩定,是電子工業常見的一種半導體元件。
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電漿化學氣相沉積(PECVD)
Hightech  2019-02-07 10:31  A20161009012 
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電漿化學氣相沉積(PECVD)在成長薄膜的過程中有化學反應發生,屬於「化學氣相沉積(CVD)」,由於只需要高真空,而且蒸鍍的金屬可以大量快速地在基板上沉積,成本較低適合工廠大量生產。最大的特色是無論材料熔點高低均可使用,通常用來製作積體電路金屬導線、硬碟類鑽石保護膜等。
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緩衝層技術(Buffer layer technology)
Hightech  2019-02-07 10:29  A20161030001 
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科學家將單晶薄膜稱為「磊晶(Epitaxy)」,必須在非常嚴格的條件下才能成長出來,一般半導體產業最常用來支撐薄膜的基板是矽晶圓,但是要在矽晶圓上成長各種不同材料的磊晶並不容易,到底是為什麼呢?
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功率元件與電源供應器
曲建仲  2019-01-31 22:56  A20190131001 
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大家都知道我們住家的插座一般是提供110V或220V的交流電,但是筆記型電腦的電源孔需要19V的直流電,而主機板上的積體電路(IC)可能需要5V、3.3V、1.8V、1.2V的直流電,就是因為有這麼多不同的電壓要轉換,所以才需要功率元件,到底為什麼電力系統要弄得那麼複雜呢?
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數位通訊系統
Hightech  2019-01-29 22:30  A20170228001 
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通訊原理其實還蠻複雜的,一下子是數位訊號調變技術(ASK、FSK、PSK、QAM),一下子又是多工技術(TDMA、FDMA、CDMA、OFDM),光是這些英文縮寫就讓初學者頭昏腦脹了,讓我們好好的整理一下吧!
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分碼多工接取(CDMA)
Hightech  2019-01-29 20:13  A20190129002 
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第二代行動電話美規的CDMA與第三代行動電話歐規的UMTS都是使用分碼多工接取(CDMA)來取代分時多工(TMDA),可以增加資料傳輸率以滿足智慧型手機行動上網的需求,我們來看看到底什麼是分碼多工接取(CDMA)吧!
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覆晶封裝(FCP:Flip Chip Package)
Hightech  2019-01-28 21:39  201609210010 
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目前積體電路的封裝內部最常見的方式有「打線封裝(Wafer bonding)」與「覆晶封裝(FCP:Flip Chip Package)」兩種,如果晶片的正面朝下,也就是含有黏著墊的那一面朝下,通常使用「覆晶封裝(FCP:Flip Chip Package)」。