雙極性接面電晶體(BJT)
Hightech
2019-02-08 13:07
20160914006
雙極性接面電晶體(BJT：Bipolar Junction Transistor)簡稱「BJT」，一般使用矽晶圓或砷化鎵晶圓製作，後來又發展出特性更好的「異質雙極性接面電晶體(HBT)」，大部分應用在「類比積體電路」，目前較少使用在數位積體電路中。
高電子移動速度電晶體(HEMT)
Hightech
2019-02-08 10:57
20160914007
金屬半導體場效電晶體(MESFET)是很好的高頻放大器元件，但是仍然有許多缺點，後來又發展出下層無摻雜磊晶，上層有摻雜特性更好的「高電子移動速度電晶體(HEMT：High Electron Mobility Transistor)」，大部分應用在「類比積體電路」。
金屬—半導體場效電晶體(MESFET)
Hightech
2019-02-08 10:40
20160914008
金屬－半導體場效電晶體(MESFET)簡稱為「MES」，一般使用砷化鎵晶圓製作，由於砷化鎵晶圓很難以「高溫氧化」的方式在表面成長氧化物，因此閘極只能使用「金屬－半導體」的結構，後來又發展出特性更好的「高電子移動速度電晶體(HEMT)」，大部分應用在「類比積體電路」。
二極體(Diode)
Hightech
2019-02-08 09:30
20160912001
基本上只要在半導體內將P型與N型做成「接面(Junction)」就可以稱為「二極體(Diode)」，二極體(Diode)一般使用矽晶圓製作，由於矽晶圓很容易以「摻雜技術」形成P型與N型，因此成本較低而且製程穩定，是電子工業常見的一種半導體元件。
電漿化學氣相沉積(PECVD)
Hightech
2019-02-07 10:31
A20161009012
電漿化學氣相沉積(PECVD)在成長薄膜的過程中有化學反應發生，屬於「化學氣相沉積(CVD)」，由於只需要高真空，而且蒸鍍的金屬可以大量快速地在基板上沉積，成本較低適合工廠大量生產。最大的特色是無論材料熔點高低均可使用，通常用來製作積體電路金屬導線、硬碟類鑽石保護膜等。
緩衝層技術(Buffer layer technology)
Hightech
2019-02-07 10:29
A20161030001
科學家將單晶薄膜稱為「磊晶(Epitaxy)」，必須在非常嚴格的條件下才能成長出來，一般半導體產業最常用來支撐薄膜的基板是矽晶圓，但是要在矽晶圓上成長各種不同材料的磊晶並不容易，到底是為什麼呢？
功率元件與電源供應器
曲建仲
2019-01-31 22:56
A20190131001
大家都知道我們住家的插座一般是提供110V或220V的交流電，但是筆記型電腦的電源孔需要19V的直流電，而主機板上的積體電路(IC)可能需要5V、3.3V、1.8V、1.2V的直流電，就是因為有這麼多不同的電壓要轉換，所以才需要功率元件，到底為什麼電力系統要弄得那麼複雜呢？
分碼多工接取(CDMA)
Hightech
2019-01-29 20:13
A20190129002
第二代行動電話美規的CDMA與第三代行動電話歐規的UMTS都是使用分碼多工接取(CDMA)來取代分時多工(TMDA)，可以增加資料傳輸率以滿足智慧型手機行動上網的需求，我們來看看到底什麼是分碼多工接取(CDMA)吧！
覆晶封裝(FCP：Flip Chip Package)
Hightech
2019-01-28 21:39
201609210010
目前積體電路的封裝內部最常見的方式有「打線封裝(Wafer bonding)」與「覆晶封裝(FCP：Flip Chip Package)」兩種，如果晶片的正面朝下，也就是含有黏著墊的那一面朝下，通常使用「覆晶封裝(FCP：Flip Chip Package)」。
