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2019 5G產業的變化
JackyTaipei  2019-02-08 21:58  A20190129001 
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華為CEO任正飛提到: 5G產業發展將是緩慢進行,不只網路結構性問題沒有解決, 而且目前民眾的需要還用不上, 5G現在還不足以變成大規模的商業行為。 現在全球5G廠商華為位居全球產業領導地位,價格也具競爭力,西方國家不買,只是要花更多成本建設.
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雙極性互補型金屬氧化物半導體場效電晶體(BiCMOS)
Hightech  2019-02-08 19:17  A20190208001 
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雙極性互補型金屬氧化物半導體場效電晶體(BiCMOS:Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)簡稱「BiCMOS」,目前大多使用矽晶圓或矽鍺晶圓製作,其中「Bi」代表BJT,所以BiCMOS就是將BJT與CMOS整合在一起,大部分
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微波電漿化學氣相沉積(MPCVD)
Hightech  2019-02-08 18:58  A20190207001 
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微波電漿化學氣相沉積(MPCVD)在成長薄膜的過程中有化學反應發生,屬於「化學氣相沉積(CVD)」,由於只需要高真空,而且蒸鍍的金屬可以大量快速地在基板上沉積,成本較低適合工廠大量生產,目前最主要用來成產人造鑽石、鑽石玻璃,鑽石被稱為「第三代半導體」,未來有可能會影響整個半導體產業的發展。
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異質雙極性接面電晶體(HBT)
Hightech  2019-02-08 13:41  20160914005 
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異質雙極性接面電晶體(HBT:Heterojunction Bipolar Transistor)簡稱「HBT」,一般使用矽晶圓或砷化鎵晶圓製作,是由雙極性接面電晶體(BJT)改良而來,大部分應用在「類比積體電路」,目前較少使用在數位積體電路中。
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雙極性接面電晶體(BJT)
Hightech  2019-02-08 13:07  20160914006 
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雙極性接面電晶體(BJT:Bipolar Junction Transistor)簡稱「BJT」,一般使用矽晶圓或砷化鎵晶圓製作,後來又發展出特性更好的「異質雙極性接面電晶體(HBT)」,大部分應用在「類比積體電路」,目前較少使用在數位積體電路中。
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高電子移動速度電晶體(HEMT)
Hightech  2019-02-08 10:57  20160914007 
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金屬半導體場效電晶體(MESFET)是很好的高頻放大器元件,但是仍然有許多缺點,後來又發展出下層無摻雜磊晶,上層有摻雜特性更好的「高電子移動速度電晶體(HEMT:High Electron Mobility Transistor)」,大部分應用在「類比積體電路」。
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金屬—半導體場效電晶體(MESFET)
Hightech  2019-02-08 10:40  20160914008 
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金屬-半導體場效電晶體(MESFET)簡稱為「MES」,一般使用砷化鎵晶圓製作,由於砷化鎵晶圓很難以「高溫氧化」的方式在表面成長氧化物,因此閘極只能使用「金屬-半導體」的結構,後來又發展出特性更好的「高電子移動速度電晶體(HEMT)」,大部分應用在「類比積體電路」。
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二極體(Diode)
Hightech  2019-02-08 09:30  20160912001 
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基本上只要在半導體內將P型與N型做成「接面(Junction)」就可以稱為「二極體(Diode)」,二極體(Diode)一般使用矽晶圓製作,由於矽晶圓很容易以「摻雜技術」形成P型與N型,因此成本較低而且製程穩定,是電子工業常見的一種半導體元件。
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電漿化學氣相沉積(PECVD)
Hightech  2019-02-07 10:31  A20161009012 
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電漿化學氣相沉積(PECVD)在成長薄膜的過程中有化學反應發生,屬於「化學氣相沉積(CVD)」,由於只需要高真空,而且蒸鍍的金屬可以大量快速地在基板上沉積,成本較低適合工廠大量生產。最大的特色是無論材料熔點高低均可使用,通常用來製作積體電路金屬導線、硬碟類鑽石保護膜等。
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緩衝層技術(Buffer layer technology)
Hightech  2019-02-07 10:29  A20161030001 
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科學家將單晶薄膜稱為「磊晶(Epitaxy)」,必須在非常嚴格的條件下才能成長出來,一般半導體產業最常用來支撐薄膜的基板是矽晶圓,但是要在矽晶圓上成長各種不同材料的磊晶並不容易,到底是為什麼呢?